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            比亞迪推出1200V 1040A SiC功率模塊,模塊功率再創新高!

            來源:電子信息產業網

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            所屬頻道:新聞中心

            關鍵詞:半導體

              6月20日,比亞迪半導體宣布推出全新1200V 1040A SiC功率模塊,據介紹,該功率模塊克服了模塊空間限制的難題,在不改變原有模塊封裝尺寸的基礎上將模塊功率提升了近30%,主要應用于新能源汽車電機驅動控制器。


              據了解,此次比亞迪推出的全新功率模塊采用了雙面燒結工藝,即SiC MOSFET上下表面均采用燒結工藝進行連接,相比傳統焊接工藝模塊,新工藝連接層導熱率最大可提升10倍,可靠性可提升5倍以上。該功率模塊芯片上表面采用燒結工藝,因燒結層具有高耐溫特性,SiC模塊工作結溫可提升至175℃,試驗證明,其可靠性是傳統工藝的4倍以上??梢?,SiC模塊功率的提升,也意味著工作效率大大增加,從而能打造更優質的新能源汽車平臺。


              隨著電動汽車等產業的發展,功率器件的需求增長迅速。以SiC為基礎的新一代功率器件有著體積小、耐壓大、頻率快等優點,近幾年在新能源汽車領域獲得了廣泛關注。Yole預測,在汽車市場的強力推動下,2027年SiC器件市場將從 2021年的10億美元增長到60億美元以上,對于高功率的SiC功率模塊的需求也將與日俱增。


              業內專家表示,在寬禁帶半導體技術中,目前碳化硅晶體的成熟度較高,因此碳化硅器件可采用同質外延路線,并覆蓋目前市場上的全部電壓,可以超越硅器件目前6500V的水平,達到上萬伏,在汽車功率器件中,未來市場前景十分光明。根據測算,到2025年,新能源車領域用碳化硅襯底市場規模將達到102億元,需求量達304萬片。


              (審核編輯: 智匯聞)

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